半導体の原料となるシリコンウェーハは、円柱状の単結晶シリコンインゴットをスライスして製造される。 その単結晶シリコンインゴットの製造プロセスは以下の通り。 ここでは、シリコンウェーハ製造大手の株式会社SUMCOのサイトを引用する。 まず、原料となる高純度多結晶シリコンを石英るつぼに入れてヒーターで加熱溶解させる。 その溶融シリコンに種結晶を接触させ、回転させながら引き上げることで徐々に径の大きい円柱状のインゴットとなる。 出典：株式会社SUMCO シリコンウェーハの製造方法[単結晶引上工程] | 株式会社SUMCO (sumcosi.com) シリコンウェーハ・インゴットの大口径化にあたっての課題.