Intelが試作した、5bit/セル (PLC)方式の多値記憶技術を採用した3D NANDフラッシュメモリ。 シリコンダイ当たりの記憶容量は1.67Tbitと過去最大である。 左がダイ写真。 右は試作ダイの概要。 2023年2月に開催された国際学会ISSCCでIntelが講演したスライドから (講演番号28.1) 3D (3次元)NANDフラッシュメモリの高密度化手法が、転換を迫られつつある。 従来の高密度化を支える要素技術は近い将来に、限界に達すると見込まれているからだ。 新たな要素技術の導入や転換などが、2025年～2030年には本格化する可能性が少なくない。 2013年に3D NANDフラッシュメモリの商業生産が始まって以降、記憶密度は年率1.41倍前後で向上を継続してきた。