シングル・イベント・ラッチアップ(SEL:single event latch-up)は,前述のSEUと同じように高エネルギー粒子の放射線によって引き … See more
トータル・ドーズ効果は,部品がさらされる放射線の総量に応じて,半導体デバイスの性能が劣化する現象です.これは永久劣化とみなされ,トラ … See more
シングル・イベント・アップセット(SEU:single event upset)は,メモリやフリップフロップなどのLSI内の回路に重イオン粒子や陽子 … See more
Webヴァン・ アレン帯とは,地球磁場に捕捉された放射線帯のことであり,名前の由来は発見者である米国の物理学者James Van Allen による.地 球に比的近い内帯( 上空500 …
Webプラズマ粒子観測装置(LEP)ラッチアップ対策として月の陰に衛星を入れて電源オフにするという離れ業を行えたのも、軌道運用に余裕があったればこそだったと言えるで …
WebJul 7, 2023 · SET (Single Event Transient) SEFI (Single Event Functional Interrupt) などの現象として現れます。. 一方、後者の SEE による 永久故障はハードエラー と呼ばれ、. …
WebSOI構造は、よく知られているように寄生サイリスター構造がないため、永久故障につながる可能性のあるシングル・イベント・ラッチアップが起きないという特長を持ちます …
WebNov 22, 2010 · 1 Silicon On Insulatorの略。 超高集積回路の高速化・低消費電力化を実現するためのキーテクノロジーとして期待されている。 2 集積論理回路の設計手法の一つ …
WebMar 23, 2022 · これらは、総非電離線量に対する高い耐性と最大62.5MeV.cm 2 /mgのシングルイベントラッチアップ(SEL)耐性、-40~+125℃の温度耐性を備え、AEC …
Web2 days ago · LE50-28は、50kradの吸収線量(TID)と、37MeV/(mg/cm 2 )の線エネルギー付与(LET)でのシングルイベント効果(SEE)ラッチアップ耐性を備えるなど、 …
WebOct 11, 2002 · 宇宙科学研究所は、LSIの高速化・低消費電力化が期待されている最先端の民生SOI (Silicon On Insulator)プロセスを用いて、ソフトエラー (放射線によるビット …
Webルネサス エレクトロニクス株式会社(代表取締役社長兼CEO:呉 文精、以下ルネサス)は、このたび、宇宙産業初となる、耐放射線パッケージの窒化ガリウム(GaN)電界効果 …