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Fujitsu Global
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[PDF]
TMR膜とヘッド技術 - Fujitsu Global
ファイルサイズ: 361KB
ページ数: 10
TMR膜とヘッド技術. TMR Film and Head Technology . あらまし. 58, 1, 01,2007 . 著者らはAl-Oバリア層磁気トンネル接合の開発を行い，抵抗面積積RAが約3Ω・μm2で MR比27％を得ることができた。また，新しい …

TMR膜とヘッド技術. TMR Film and Head Technology . あらまし. 58, 1, 01,2007 . 著者らはAl-Oバリア層磁気トンネル接合の開発を行い，抵抗面積積RAが約3Ω・μm2で MR比27％を得ることができた。また，新しい低バリア材料としてTi-OおよびMgOバリア層磁気トンネル接合の研究を行った。ピンド層にCoFeB，フリー層にCo. 74Fe. 26/NiFeを用いることにより，MgOバリア層磁気トンネル接合において，RAが2～3Ω・μm2で40～50％の MR比を得ることができた。 100 Gbit/in2の面記録密度を目指したAl-Oバリア層TMRヘッドを作製した。
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ウィキペディア
https://ja.wikipedia.org/wiki/トンネル磁気抵抗効果
トンネル磁気抵抗効果 - Wikipedia
概要
原理
研究・開発
実用
関連項目
参考資料
注釈・出典
トンネル磁気抵抗効果（とんねるじきていこうこうか・英: Tunnel Magneto Resistance Effect）とは、磁気トンネル接合(MTJ)素子において絶縁体を挟んでいる二層の強磁性体の磁化の向きによって電気抵抗が変化する現象であり、TMR効果とも呼ばれる。
一般的には、二層の強磁性体の磁化が同じ方向を向いている場合（平行状態）に抵抗は低く、お互いに反対の方向を向いている場合（反平行状態）には抵抗が高い。
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